[实用新型]一种兼容型掩膜版基准设计版图有效
申请号: | 201220022228.7 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN203117634U | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 何伟明;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/48 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种兼容型掩膜版基准设计版图,包括多种光刻对准标记,中央位置为主图形区,主图形区外部环绕包围有遮光带,光刻对准标记均设置在遮光带的外部;在靠近版图两侧边的位置还设有多种条形码。本实用新型兼容型掩膜版基准设计版图糅合了多种掩膜版的设计细节,使掩膜版能有效地安全的在多种光刻机上使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 兼容 型掩膜版 基准 设计 版图 | ||
【主权项】:
一种兼容型掩膜版基准设计版图,其特征在于,包括主图形区、环绕包围所述主图形区的遮光带外的光刻对准标记和条形码,在遮光带的外部环绕分布有第一光刻对准标记; 还包括包围所述主图形区和第一光刻对准标记的防护薄膜框架,所述防护薄膜框架包括外框和内框,沿防护薄膜侧边设有第二光刻对准标记; 在靠近两侧边的位置分别设有第一条形码和第二条形码; 还包括两个第三光刻对准标记,两个第三光刻对准标记对称地位于防护薄膜框架侧边与版图侧边之间。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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