[实用新型]一种物理气相沉积法生长大尺寸碳化硅单晶的石墨坩埚有效
| 申请号： | 201220020783.6 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN202430332U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 高玉强;胡小波;郝霄鹏 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种物理气相沉积法生长大尺寸碳化硅单晶的石墨坩埚，包括收容碳化硅原料的坩埚桶和上盖，在所述坩埚桶的内壁上部和上盖的外壁上设置有相互旋合的螺纹，所述上盖和坩埚桶通过螺纹连接；在所述的坩埚桶内壁上设置有放置多孔石墨板的定位块；在定位块上放置有多孔石墨板，所述多孔石墨板的外径与坩埚桶的内径相适应。本实用新型有效的避免了生长过程中碳化硅原料的碳化对晶体生长造成的影响，提高晶体生长的稳定性和成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 沉积 生长 尺寸 碳化硅 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
一种物理气相沉积法生长大尺寸碳化硅单晶的石墨坩埚，包括收容碳化硅原料的坩埚桶和上盖，在所述坩埚桶的内壁上部和上盖的外壁上设置有相互旋合的螺纹，所述上盖和坩埚桶通过所述的螺纹连接；其特征在于，在所述的坩埚桶内壁上设置有放置多孔石墨板的定位块；在定位块上放置有多孔石墨板，所述多孔石墨板的外径与坩埚桶的内径相适应。
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