[发明专利]一种增益可调的低噪声放大器电路无效

专利信息
申请号: 201210595916.7 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103916084A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 郄利波;李罗生 申请(专利权)人: 北京中电华大电子设计有限责任公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03G3/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100102 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种用于WLAN接收机的增益可调低噪声放大器,属于射频集成电路领域。电路包括源简并电感型全差分共源共栅放大级,在电路负载端插入可控制的PMOS管控制负载变化从而实现增益的可调整,电路的信号输出端采用调谐电容阵列对输出信号进行微调保证电路各个增益模式下的输出能优化在2.4~2.5GHz的有用频率范围内,电路的源极简并电感和负载电感都采用差分的方式以提高对称性减小电路面积,在输入晶体管的栅源之间插入电容增加设计的灵活性,实现噪声和阻抗匹配的同时优化。本发明结构简单,具有很低的噪声系数和高线性度,面积小,输入动态范围宽,能很好满足WLAN接收机系统的要求。
搜索关键词: 一种 增益 可调 低噪声放大器 电路
【主权项】:
一种应用于802.11b/g/n协议接收机系统的增益可调低噪声放大器,包括共源共栅放大器输入级电路,负载电路以及频率调谐电路,其中:共源共栅放大器输入级电路中晶体管M1和晶体管M2的源极与电感Ls串联,构成源简并电感型共源放大器,将共源共栅晶体管M3的源极连接在晶体管M1的漏极,晶体管M4的源极连接在晶体管M2的漏极,分别在晶体管M1和晶体管M2的栅极、源极之间插入电容C1和电容C2;负载电路中通过控制电压Vc1控制串联的PMOS管M5和PMOS管M6构成有源负载1,控制电压Vc2控制串联的PMOS管M7和PMOS管M8构成有源负载2,有源负载1和有源负载2并联并且与差分负载电感Lload并联,负载电路连接到共源共栅放大器输入级电路中共源共栅晶体管M3和晶体管M4的漏极;频率调谐电路中将电容C3和电容C4的一端连接到放大器的一个输出端,电容C5和电容C6对称地连接到放大器的另一个输出端,电容C3、电容C4,电容C5、电容C6的另一端通过开关连接到地端。
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