[发明专利]光电转换元件及太阳能电池有效
申请号: | 201210595830.4 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103117323A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 芝崎聪一郎;山崎六月;平贺广贵;中川直之;山本和重;樱田新哉;稻叶道彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 吴倩;张楠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种包含第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件和太阳能电池。所述第1电极包含第1化合物且具有透光性,所述第1化合物包含(Zn1-xMgx)1-yMyO和Zn1-βMβO1-αSα(M是选自B、Al、Ga以及In组成的组中的至少一种元素,0.03≤x≤0.4,0.005≤y≤0.2,0.4≤α≤0.9,0.005≤β≤0.2)中的至少任一种。所述光吸收层设置在所述第1电极和所述第2电极之间。所述光吸收层含有具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构的化合物半导体。所述光吸收层包含p型部和设置在所述p型部与所述第1电极之间、与所述p型部同质接合的n型部。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种光电转换元件,其具备:第1电极,其包含第1化合物且具有透光性,所述第1化合物包含(Zn1‑xMgx)1‑yMyO和Zn1‑βMβO1‑αSα中的至少任一种,其中,M是选自B、Al、Ga以及In组成的组中的至少一种元素,0.03≤x≤0.4,0.005≤y≤0.2,0.4≤α≤0.9,0.005≤β≤0.2;第2电极;和光吸收层,其是设置在所述第1电极和所述第2电极之间、且包含具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构的化合物半导体的光吸收层,所述光吸收层包含p型部和设置在所述p型部与所述第1电极之间、与所述p型部同质接合的n型部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的