[发明专利]一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置有效
| 申请号： | 201210594588.9 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915308A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 杜若昕;梁洁;王兆祥;苏兴才 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;B81C1/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;吕俊清 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置，所述等离子体处理腔室具有上电极和下电极，通过源射频功率和偏置射频功率共同进行制程，所述腔室中放置有基片，所述下电极分别连接有源射频功率源和偏置射频功率源，所述偏置射频功率源以脉冲的方式输出偏置功率，所述偏置射频功率源交替输出第一低频频率和第二低频频率的两种脉冲信号进行制程，所述第一低频频率和第二低频频率的脉冲信号的频率相同且相位相反，本发明结合两种低频频率刻蚀方法，通过调节脉冲发生器的脉冲周期及占空比实现连续调节粒子密度和离子能量，使关键尺寸和均匀性都能得到连续的精确控制，对28nm刻蚀工艺或以下刻蚀工艺中关键尺寸精确控制提供有力帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 脉冲 等离子体 刻蚀 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理腔室的双射频脉冲的控制方法，所述等离子体处理腔室具有上电极和下电极，通过源射频功率和偏置射频功率共同进行制程，所述腔室中放置有基片，所述下电极分别连接有源射频功率源和偏置射频功率源，其特征在于：所述偏置射频功率源以脉冲的方式输出偏置功率，所述偏置射频功率源交替输出第一低频频率和第二低频频率的两种脉冲信号进行制程，所述第一低频频率和第二低频频率的脉冲信号的频率相同且相位相反。
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