[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201210593041.7 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187496B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 丁钟弼;黄净铉;金钟国 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括衬底；第一导电半导体层，位于衬底上；有源层，位于第一导电半导体层上；第二导电半导体层，位于有源层上；以及氮化物半导体层，位于第二导电半导体层上，且折射率小于第二导电半导体层的折射率。根据实施例的发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统，能够提高光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：衬底；第一导电半导体层，位于所述衬底上；有源层，位于所述第一导电半导体层上；第二导电半导体层，位于所述有源层上；以及氮化物半导体层，位于所述第二导电半导体层的顶面上，且所述氮化物半导体层的折射率小于所述第二导电半导体层的折射率，其中所述氮化物半导体层包括n型氮化物半导体层，并且其中所述氮化物半导体层的折射率随着所述氮化物半导体层远离所述第二导电半导体层变得逐渐减小。
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