[发明专利]涂覆的马氏体钢制品和形成涂覆的钢制品的方法有效
| 申请号: | 201210593035.1 | 申请日: | 2012-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN103252938B | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
| 发明(设计)人: | 伊万·科列夫;保罗·彼德斯;罗兰德·塔普;伯特伦·海格;亚沙尔·穆萨耶夫;谢尔盖·克塞维;蒂姆·马提亚·豪森菲尔德;于尔根·吉埃尔;朱罕纳·考斯特姆 | 申请(专利权)人: | 皮考逊公司 |
| 主分类号: | B32B15/04 | 分类号: | B32B15/04;B32B9/04;C23C14/06;C23C16/27;C23C16/40;C23C16/30 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 高瑜,郑霞 |
| 地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种涂覆的钢制品,具有通过PVD方法、CVD方法或PECVD方法应用在所述制品的至少一个表面区域上的具有高硬度和高耐磨性的至少一个层,和包括通过ALD方法沉积在具有高硬度和高耐磨性的所述至少一个层上的至少一个材料层的至少一个ALD层,其中制成制品的钢是马氏体等级的钢,其中通过PVD方法、CVD方法或PECVD方法应用的具有高硬度和高耐磨性的所述至少一个层是DLC层、金属‑DLC层或CrAlN层,且具有在0.5微米至4微米范围内的厚度和在20GPa至100GPa范围内尤其在30至80GPa范围内的硬度,且其中所述ALD层选自包括以下的组A12O3、SiO2、TiO2、Ta2O5、HfO2、前述中的任何的混合层和前述中的两种或更多种的多层结构,ALD层具有在1nm至100nm范围内且尤其在20nm至30nm范围内的厚度。 | ||
| 搜索关键词: | 马氏体 钢制品 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种涂覆的钢制品(12),具有通过物理气相沉积(PVD)方法、通过化学气相沉积(CVD)方法或通过等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)方法,但排除原子层沉积(ALD)方法或等离子体增强的ALD方法应用在所述制品的至少一个表面区域上的具有高硬度和高耐磨性的至少一个层(112;112,112';112,112',112),和至少一个ALD层,所述至少一个ALD层包括通过ALD方法沉积在具有高硬度和高耐磨性的所述至少一个层上的至少一个材料层(114),其中由其制成所述制品的所述钢是马氏体等级的钢,所述钢制品的所述至少一个表面区域具有清洁的或蚀刻的钢表面,其中通过PVD方法、通过CVD方法或通过PECVD方法,但排除ALD方法或等离子体增强的ALD方法应用的具有高硬度和高耐磨性的所述至少一个层(112;112,112';112,112',112)是DLC层、金属‑DLC层或CrAlN层,且具有在0.5微米至4微米范围内的厚度和在20GPa至100GPa范围内的硬度,且其中所述至少一个ALD层选自包括以下的组:Al2O3、SiO2、TiO2、Ta2O5、HfO2、前述中的任何的混合层和前述中的两种或更多种的多层结构,其中所述DLC层或金属‑DLC层是以下中的一种:不含氢的四角形“ta‑C”涂层、结合氢的ta‑C:H涂层、不具有结合的氢的a‑C无定形碳涂层、具有结合的氢的a‑C:H涂层和包括金属碳化物材料的a‑C:H:Me涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皮考逊公司,未经皮考逊公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210593035.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。





