[发明专利]LED外延片沉积方法和LED外延片沉积设备无效
| 申请号： | 201210592780.4 | 申请日： | 2012-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103078016A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 梁秉文 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;C23C16/34;C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延片沉积方法所述LED外延片包括衬底、N型含镓III-V族半导体材料层、含镓III-V族半导体材料量子阱层和P型含镓III-V族半导体材料层；所述LED外延片沉积方法包括：提供一反应腔，衬底被放置到反应腔中；在所述反应腔中加热所述衬底；向所述反应腔中通入氮气或氮气与惰性气体的混合气体作为反应腔环境气体；向所述反应腔中通入V族源气体和包含镓源的III族源；所述V族源气体和所述III族源在所述反应腔环境气体环境中反应，并在所述衬底上沉积形成所述N型含镓III-V族半导体材料层、所述含镓III-V族半导体材料量子阱层和所述P型含镓III-V族半导体材料层。本发明的LED外延片沉积方法能够提高LED外延片的沉积速率或组分的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种LED外延片沉积方法所述LED外延片包括衬底、N型含镓III‑V族半导体材料层、含镓III‑V族半导体材料量子阱层和P型含镓III‑V族半导体材料层；所述LED外延片沉积方法包括：提供一反应腔，衬底被放置到反应腔中；在所述反应腔中加热所述衬底；向所述反应腔中通入氮气或氮气与惰性气体的混合气体作为反应腔环境气体；向所述反应腔中通入V族源气体和包含镓源的III族源；所述V族源气体和所述III族源在所述反应腔环境气体环境中反应并在所述衬底上沉积形成所述N型含镓III‑V族半导体材料层、所述含镓III‑V族半导体材料量子阱层和所述P型含镓III‑V族半导体材料层。
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