[发明专利]集成电路的可靠性分析测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 201210592644.5 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915415A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种集成电路的可靠性分析测试结构，该测试结构包括：衬底，包含有源区和隔离区，具有一栅极、通孔和一互连线的n级待测结构，测试电压端以及电介质，所述通孔位于所述隔离区上。本发明还揭示了该测试结构的测试方法，包括：根据所述的测试结构实际形成待测试结构；对所述待测结构施加电压使所述待测结构失效，所述测试电压端接入测试电压，所述有源区和每一级的所述节点均接地，直到所述待测结构失效；测试所述待测结构的失效位置，所述测试电压端接入工作电压，分别使所述有源区和每一级的所述节点接地。本发明的测试结构能准确评估有源区上的通孔与相邻栅极之间电介质的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 可靠性分析 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路的可靠性分析测试结构，包括：衬底，包含有源区和隔离区；n级待测结构，位于所述衬底上，每一级的所述待测结构包括一栅极、m个通孔和一互连线，所述栅极横跨所述隔离区上，所述通孔位于所述隔离区上，并依次排列于所述栅极旁，在每一级所述待测结构中每一所述通孔与所述栅极具有一相同的待测距离，所述互连线位于所述通孔上，并使m个所述通孔电相连，所述互连线的一端连接一节点，n和m均为正整数；测试电压端，每一级的所述栅极共同连接所述测试电压端；电介质，所述衬底、所述栅极、所述通孔和所述互连线通过所述电介质绝缘间隔；其中至少有一所述栅极横跨所述有源区上，每一级的所述栅极、所述通孔和所述互连线大小形状相等。
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