[发明专利]一种基于SOI工艺的高精度硅微谐振式气压传感器有效
| 申请号： | 201210587264.2 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103900753A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈德勇;曹明威;王军波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI工艺的电磁激励电磁检测的高精度硅微谐振式气压传感器。其核心部件是传感器芯片，由包含SOI工艺制作的单晶硅H型谐振器及单晶硅压力敏感膜的SOI硅片和带有引线通孔的硼硅玻璃盖片通过真空阳极键合形成。单晶硅H型谐振器工作于参考真空中，不受待测气压介质的影响，品质因数较高，频率输出稳定。本发明在实现圆片级真空封装的同时，解决了圆片级封装引线困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 工艺 高精度 谐振 气压 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于SOI工艺的高精度硅微谐振式气压传感器，其包括传感器芯片(1)，所述传感器芯片(1)包括SOI硅片(9)和硼硅玻璃盖片(10)，所述SOI硅片(9)上具有两个H型谐振器(11)、支撑锚点(12)和气压敏感膜(13)；所述H型谐振器(11)通过所述支撑锚点(12)固支于所述气压敏感膜(13)上；所述硼硅玻璃盖片(10)与所述SOI硅片(9)通过阳极键合地方式紧密地结合成一体，围成真空参考腔(16)，使得所述两个H型谐振器(11)被密封在所述真空参考腔中。
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