[发明专利]低比表面纳米二氧化硅的制备方法无效
| 申请号： | 201210583696.6 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102976343A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 孟令南;赵燕;沈俊 | 申请（专利权）人： | 宁夏胜蓝化工环保科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 753202 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 在坩埚炉中将硅熔融，向熔融硅表面通入纯氧，原子态的硅蒸汽与氧分子在气相反应生成一氧化硅，气流将生成的一氧化硅带出坩埚炉进入管式反应器，在管式反应器中进一步氧化为二氧化硅，出管式反应器后与常温空气在混合器中快速混合冷却，收集气流中的粉状产物。调整工艺参数可以方便地调整产物粒度和比表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 比表面 纳米 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
制备低比表面纳米二氧化硅的方法，其特征在于将硅在坩埚炉中熔融为液态，将纯氧通入硅液的上部空间，气态硅原子与氧分子反应生成一氧化硅。
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