[发明专利]一种晶圆预对准方法无效
申请号: | 201210579517.1 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103050427A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 张波;刘品宽;朱晓博;张帆;梁家欣 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明提供了一种晶圆预对准方法,包括利用高精度激光透过式传感器,根据晶圆边缘一周数据,通过构造晶圆形心检测的数学模型,计算出晶圆的形心位置坐标 |
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搜索关键词: | 一种 晶圆预 对准 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆预对准方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:令外部的晶圆传输机械手将晶圆交接给晶圆预对准装置,利用视觉检测单元(5)通过检测接收光强的变化率,判断晶圆是否已放置到真空吸附单元(4)上,当检测到晶圆已放置时,触发运动控制单元(7),使真空吸附单元(4)固定晶圆;通过θ-Y二自由度运动单元(2)带动真空吸附单元(4)使晶圆旋转一周,视觉检测单元(5)中的激光透过式传感器检测出晶圆的边缘位置,通过数据采集单元(6)同步采集激光透过式传感器获得的晶圆边缘一周数据;步骤2:令运动控制单元(7)利用从数据采集单元(6)获取的晶圆边缘一周数据,计算出晶圆的形心位置坐标
径向位移最大偏心量emax、以及径向位移最大偏心量处与水平Y向的夹角
步骤3:通过运动控制单元(7)发出指令使θ-Y二自由度运动单元(2)中的θ向旋转平台带动晶圆旋转
角度使径向位移最大偏心量emax与水平Y向处于一条直线上,将径向位移最大偏心量emax调整到Y轴上,通过垂直过渡单元(3)上升使晶圆脱离θ-Y二自由度运动单元(2),θ-Y二自由度运动单元(2)中的Y向直线运动平台移动,θ向旋转平台的中心与晶圆的形心晶圆重合,完成晶圆的形心定位;步骤4:令垂直过渡单元(3)下降并使真空吸附单元(4)固定晶圆,θ-Y二自由度运动单元(2)再次带动真空吸附单元(4)使晶圆旋转一周,视觉检测单元(5)检测出晶圆的边缘位置,数据采集单元(6)同步采集晶圆边缘一周数据,运动控制单元(7)分析晶圆边缘一周数据完成缺口数据段的定位,并发出指令使θ-Y二自由度运动单元(2)将缺口数据段旋转到激光透过式传感器附近对其进行小范围细采样,数据采集单元(6)同步采集数据;运动控制单元(7)利用从数据采集单元(6)获取的数据,计算出晶圆实际的缺口形心位置,得到晶圆的缺口位置与Y向的夹角
步骤5:运动控制单元(7)发出指令使θ-Y二自由度运动单元(2)中的θ向旋转平台带动晶圆旋转到指定角度,完成晶圆缺口定位。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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