[发明专利]电容器件、半导体装置和电子设备

摘要

一种电容器件、半导体装置和电子设备。该电容器件包括：第一电容元件，包括具有第一导电类型的第一阱区、第一栅极电极以及每个都由具有与第一阱区的导电类型相反的第二导电类型的杂质层形成的第一半导体层；以及第二电容元件，并联地电连接到第一电容元件，第二电容元件包括具有第一导电类型的第二阱区、第二栅极电极以及每个都由具有与第二阱区的导电类型相同的第一导电类型的杂质层形成的第二半导体层。

主权项

一种电容器件，包括：第一电容元件，包括第一阱区，具有第一导电类型且提供在靠近基板的表面的区域中，第一栅极电极，提供在该基板上，该第一栅极电极与该基板之间具有第一栅极绝缘膜，以及第一半导体层，提供在其间插设一区域的位置处，该区域对应于该第一阱区的表面上的该第一栅极电极，并且该第一半导体层的每个由具有第二导电类型的杂质层形成，该第二导电类型与该第一阱区的导电类型相反；以及第二电容元件，并联地电连接到该第一电容元件，该第二电容元件包括第二阱区，具有该第一导电类型且提供在靠近该基板的表面的区域中，第二栅极电极，提供在该基板上，该第二栅极电极与该基板之间具有第二栅极绝缘膜，以及第二半导体层，提供在其间插设一区域的位置处，该区域对应于该第二阱区的表面上的该第二栅极电极，并且该第二半导体层的每个由具有与该第二阱区的导电类型相同的第一导电类型的杂质层形成。