[发明专利]改善晶片边缘蚀刻速率均匀性的聚焦环有效
| 申请号： | 201210577458.4 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103903948B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 陈星建;贺小明;张力;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 张静洁,徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善晶片边缘蚀刻速率均匀性的聚焦环，其设置于一等离子体蚀刻室中的基座上方的基片的外周侧，所述的基片的上方设置喷淋头，所述聚焦环包括第一部分围绕所述基片，和第二部分在外侧围绕所述第一部分，其中第一部分上表面为含硅材料制成，第二部分为含钇材料制成。本发明有效地提高了晶片边缘蚀刻速率的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 晶片 边缘 蚀刻 速率 均匀 聚焦 | ||
【主权项】：
一种改善晶片边缘蚀刻速率均匀性的聚焦环，其设置于一等离子体蚀刻室中的基座上方的基片的外周侧，所述的基片的上方设置喷淋头（2），其特征在于，所述聚焦环的基体材料为含钇的化合物，该聚焦环的基体包括第一部分围绕所述基片，和第二部分在外侧围绕所述第一部分，其中第二部分上表面为含钇材料制成；该聚焦环还包含含硅化合物层，覆盖在第一部分上表面处。
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