[发明专利]一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法无效
| 申请号： | 201210571719.1 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103021814A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 亢勇;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法，包括选用初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料；通过注氢智能剥离方法在初始单晶碳化硅晶圆中注入离子形成一层气泡层；将初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料进行表面处理后，清洗表面并旋转甩干，之后对初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料进行等离子辅助键合；将键合形成的材料进行高温退火，初始单晶碳化硅晶圆的气泡层会聚集并使初始单晶碳化硅晶圆发生蹦离，得到单晶碳化硅复合衬底材料。本发明提出的氮化镓基半导体材料的制备方法，既可以使氮化镓基材料的外延获得高质量的碳化硅单晶衬底，又可以有效降低衬底材料的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 半导体材料 外延 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：步骤一：选用初始单晶碳化硅晶圆(1)与衬底材料(2)；步骤二：通过注氢智能剥离方法在所述初始单晶碳化硅晶圆(1)中注入离子形成一层气泡层；步骤三：将所述初始单晶碳化硅晶圆(1)与所述衬底材料(2)进行表面处理后，清洗表面并旋转甩干，之后对所述初始单晶碳化硅晶圆(1)与衬底材料(2)进行等离子辅助键合；步骤四：将所述键合形成的材料进行高温退火，所述初始单晶碳化硅晶圆(1)的气泡层会聚集并使初始单晶碳化硅晶圆(1)发生蹦离，得到所述单晶碳化硅复合衬底材料(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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