[发明专利]伪FinFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210571175.9 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103378155A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 卢昶伸;彭治棠;黄泰钧;郑培仁;连浩明;林逸宏;李资良;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种FinFET器件可以包括与有源FinFET结构横向相邻的伪FinFET结构，从而减小了有源FinFET结构上的应力失衡和应力失衡的影响。该FinFET器件包括：包括有多个半导体鳍状件的有源FinFET以及包括有多个半导体鳍状件的伪FinFET。有源FinFET以及伪FinFET彼此横向地间隔了与有源FinFET的鳍状件间距相关的距离。本发明还提供了一种伪FinFET结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：有源FinFET，位于衬底上方，其中，所述有源FinFET包括一个或多个有源半导体鳍状件，所述有源FinFET具有四个面；第一伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第一伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第一伪FinFET与所述有源FinFET的第一面横向相邻；第二伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第二伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第二伪FinFET与所述有源FinFET的第二面横向相邻；第三伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第三伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第三伪FinFET与所述有源FinFET的第三面横向相邻；以及第四伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第四伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第四伪FinFET与所述有源FinFET的第四面横向相邻。
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