[发明专利]一种化学机械抛光液及抛光方法有效
| 申请号： | 201210567952.2 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103897601B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张建;荆建芬;蔡鑫元;陈宝明 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所11352 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅通孔的化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、络合剂、腐蚀抑制剂和氧化剂。本发明的化学机械抛光液在研磨颗粒含量较低时仍具有较高的二氧化硅、钽、氮化硅的去除速率，铜的去除速率可调。成本较低，可以适用于不同的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种用于硅通孔的化学机械抛光液，其特征在于，所述抛光液由研磨颗粒、络合剂、一种腐蚀抑制剂、氧化剂、pH调节剂以及水组成；所述的研磨颗粒为二氧化硅和二氧化铈的混合物，所述的二氧化硅研磨颗粒的含量为1～10wt％，所述的二氧化铈研磨颗粒含量为0.05～1wt％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
