[发明专利]非晶硅光学薄膜折射率调节方法

摘要

本发明提出的一个非晶硅薄膜折射率的调节方法，简单可行，折射率可调节范围较大，精度易于控制。本发明可以通过下述技术方案予以实现：在采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅薄膜中，平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上，射频电压加在上下平行板之间；反应腔体内采用热丝控制气体温度，在辉光放电前，先将沉积室温抽真空，保持50Pa压强；然后在辉光放电沉积过程的反应室中，通入少量N2O与硅烷作为非晶硅薄膜反应气体，同时掺杂比例低于百分之十的微量氧元素；对衬底进行加热，让上下平板间出现电容耦合式的气体放电，使氧原子在非晶硅中形成载流子复合中心，将氧原子掺杂入非晶硅薄膜中，形成含氧的氢化非晶硅。

主权项

一种非晶硅薄膜折射率的调节方法，其特征在于包括如下步骤：在采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅薄膜中，平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上，射频电压加在上下平行板之间；设置工艺参数，反应腔体内采用热丝控制气体温度，在辉光放电前，先将沉积室温抽真空到5x10‑5Pa；然后在辉光放电沉积过程的反应室中，通入低于硅烷流量百分之十的N2O与硅烷作为非晶硅薄膜反应气体，N2O的掺杂比例低于总反应气体流量的百分之十；在反应过程中，反应腔中保持50Pa的压强，对衬底进行加热到300℃，让上下平板间出现电容耦合式的气体放电，将氧原子掺杂入非晶硅薄膜中，使氧原子在非晶硅中与Si形成新键，形成含氧的氢化非晶硅。