[发明专利]SiAlON薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210563617.5 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103880432A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘光辉;刘茜;周真真;魏钦华;杨华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/599 | 分类号： | C04B35/599;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiAlON薄膜，以Si、Al、O和N的总原子数为基准计，该薄膜包含：27.7-35.6％的Si，10.8-13.4％的Al，19.3-57.5％的O，以及3.9-31.7％的N，所述薄膜还额外包含1-3％的以下附加金属元素：稀土元素、碱土金属、或其组合，以上百分数均为原子数百分比。本发明还提供了用来制备该薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | sialon 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiAlON薄膜，以Si、Al、O和N的总原子数为基准计，该薄膜包含：27.7‑35.6％的Si，10.8‑13.4％的Al，19.3‑57.5％的O，以及3.9‑31.7％的N，所述薄膜还额外包含1‑3％的以下附加金属元素：稀土元素、碱土金属、或其组合，以上百分数均为原子数百分比。
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