[发明专利]具有水溶性五氧化二钒空穴传输层的聚合物太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201210562991.3 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN102983275A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 郭文滨;武建;沈亮;阮圣平;刘彩霞;董玮;张歆东;陈维友 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明属于聚合物太阳能电池领域,具体涉及一种具有水溶性五氧化二钒空穴传输层的聚合物太阳能电池。本发明所述结构的器件,由阴极、电子传输层、有源层、空穴传输层和阳极构成,其特点在于所用的空穴传输层不采用传统的真空热蒸镀方法,而是采用溶液处理的方法旋涂在有源层之上。所用的空穴传输层材料为五氧化二钒,其经过水热法处理后能够形成纳米线结构,并且能够较好的分散到异丙醇溶液中,从而可以通过旋涂成膜的方式作为聚合物太阳能电池的空穴传输层。利用本方法制备的太阳能电池器件,制备工艺更加简单方便,可制备大面积的太阳能电池器件,而且可以极大的减少制备过程中对能源的消耗。 | ||
搜索关键词: | 具有 水溶性 氧化 空穴 传输 聚合物 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有水溶性五氧化二钒空穴传输层的聚合物太阳能电池,其特征在于:该太阳能电池依次由作为衬底和阴极的ITO导电玻璃、TiO2电子传输层、P3HT:PCBM有源层、V2O5空穴传输层、Ag阳极组成,其中V2O5空穴传输层是将由水热合成法合成的V2O5溶于异丙醇后采用旋涂成膜的方式制备得到。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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