[发明专利]含二氧化硅聚酰亚胺薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210560650.2 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103013116A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 岑建军 | 申请(专利权)人: | 宁波今山电子材料有限公司 |
主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08K3/36;C08G73/10;C08J5/18 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 315217 浙江省宁波市鄞州区云龙镇*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种含二氧化硅聚酰亚胺薄膜的制备方法,包括采用纳米级SiO2粉体和聚酰胺酸,其特征是:在合成得到的聚酰胺酸中加入聚酰胺酸重量5%-10%的四乙氧基乙基原硅酸,搅拌0.5小时,再将需加入的纳米级SiO2粉体与剩余的4,4’-二氨基二苯醚混合充分搅拌,然后加入到聚酰胺酸中,所述的纳米级SiO2粉体是经研磨后粉体粒径达到D90<1μm的纳米级SiO2粉体。本发明的方法得到的含二氧化硅聚酰亚胺薄膜,解决了SiO2在有机基体中较容易发生团聚,提高了与有机体的相容性,由此提高了聚酰亚胺薄膜材料的整体性能;有效地提高薄膜热稳定性和力学性能;提高了产品的导热性;对于局部高压具有很好的能量消耗作用,延长使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 二氧化硅 聚酰亚胺 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种含二氧化硅聚酰亚胺薄膜的制备方法,包括采用纳米级SiO2粉体和聚酰胺酸,所述的聚酰胺酸是由均苯四甲酸二酐和4,4’‑二氨基二苯醚合成反应所得到的聚酰胺酸,其特征是:在聚酰胺酸合成时,首先对均苯四甲酸二酐和4,4’‑二氨基二苯醚按反应所需的摩尔比计算各自所需的反应量,加入计算所需的均苯四甲酸二酐与95%的4,4’‑二氨基二苯醚于反应釜内在45℃温度下反应6小时,得到聚酰胺酸,在合成得到的聚酰胺酸中加入聚酰胺酸重量5%‑10%的四乙氧基乙基原硅酸,搅拌0.5小时,再将需加入的纳米级SiO2粉体与剩余的5%的4,4’‑二氨基二苯醚混合充分搅拌,然后加入到加有四乙氧基乙基原硅酸的聚酰胺酸中,再进行充分搅拌,在此,所述的纳米级SiO2粉体是经研磨后粉体粒径达到D90<1um的纳米级SiO2粉体,纳米级SiO2粉体的加入量占聚酰胺酸总量的5%‑30%,然后用均苯四甲酸二酐调节最后反应生成物的粘度达到90000±5000CP,最后脱泡流涎成膜即可。
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