[发明专利]一种晶界密度测量方法

摘要

本发明提供一种晶界密度测量方法，包括晶界显示，获取图像，根据放大倍数计算图像面积S，获取的图像面积S＝（照片测量长度a/放大倍数M）×（照片测量宽度b/放大倍数M），测量观测范围内所有晶界长度，并求和L；测量长度的方法是将各晶界微分处理，每个微分单元端点坐标分别为（x1,y1）(x2,y2)，因此该微分单元长度l＝，将各微分单元长度相加即为晶界长度L，最后计算晶界密度A＝L/S。本发明解决了由于晶粒数量少造成测量精度低的问题。

主权项

1.一种晶界密度测量方法，其特征在于包括以下几步：1）晶界显示：将金属试样磨平抛光后采用硝酸酒精、苦味酸溶液进行腐蚀，显示晶界；2）获取图像：根据晶粒大小，可选择合适倍数M使晶粒清晰成像，获得照片；3）根据放大倍数计算图像面积S，获取的图像面积S＝（照片测量长度a/放大倍数M）×（照片测量宽度b/放大倍数M）；4）测量观测范围内所有晶界长度，并求和L；测量长度的方法是将各晶界微分处理，每个微分单元端点坐标分别为（x1,y1）(x2,y2)，因此该微分单元长度l＝，将各微分单元长度相加即为晶界长度L；5）计算晶界密度A＝L/S。