[发明专利]一种用于高速高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210560124.6 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103378289A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;胡益丰 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于高速高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料，所述的多层纳米复合薄膜材料为SbSe/Ga30Sb70多层复合薄膜，其结构符合下列通式：[SbSe(a)/Ga30Sb70(b)]x,可简写为[SS(a)/GS(b)]x。式中a、b分别表示所述的单层SbSe和单层Ga30Sb70薄膜的厚度，1≤a≤50nm，1≤b≤50nm，x表示单层SbSe和单层Ga30Sb70薄膜的交替周期数或者交替层数，且x=1,2，3或4。本发明的SbSe/Ga30Sb70多层复合相变薄膜，在纳米量级复合而成，其具有高、中、低三个电阻态，能够实现多级存储，极大提高存储器的存储密度和读写操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高速 高密度 相变 存储器 多层 纳米 复合 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高速高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料，其特征在于：所述的多层纳米复合薄膜材料为SbSe/Ga30Sb70多层复合薄膜，其结构符合下列通式：[SbSe(a)/Ga30Sb70(b)]x，可简写为[SS(a)/GS(b)]x，式中a、b分别表示所述的单层SbSe和单层Ga30Sb70薄膜的厚度，1≤a≤50nm，1≤b≤50nm，x表示单层SbSe和单层Ga30Sb70薄膜的交替周期数或者交替层数，且x=1,2，3或4。
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