[发明专利]一种对晶圆表面硅晶渣进行清洗的方法无效
| 申请号： | 201210557559.5 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103878148A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李儒兴;陶仁峰;胡海天;李志国 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/04 | 分类号： | B08B7/04;B08B1/04;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对晶圆表面硅晶渣进行清洗的方法，将表面沾染大量硅晶渣的晶圆传输至化学机械研磨制程中所使用的研磨后清洗装置内，使用该清洗装置内的聚乙烯醇刷子对晶圆表面的硅晶渣进行清洗。本发明相比于常用的酸槽等清洗技术，能非常有效的清除晶圆表面沾染的大量硅晶渣，同时由于聚乙烯醇刷子的多孔、柔软的特性，使得清洗过程不会对晶圆表面造成二次划伤从而避免了晶圆的报废。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 硅晶渣 进行 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种对晶圆表面硅晶渣进行清洗的方法，其特征在于，将表面沾染大量硅晶渣的晶圆传输至化学机械研磨制程中所使用的化学机械抛光后清洗装置内，使用该化学机械抛光后清洗装置对晶圆表面的硅晶渣进行清洗。
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