[发明专利]通过施加电流实现原子力显微镜纳米沉积的方法无效
| 申请号： | 201210555839.2 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103879955A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 焦念东;刘增磊;刘连庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 周秀梅;许宗富 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种通过施加电流实现原子力显微镜(AFM)纳米沉积的方法，即通过向AFM针尖和基底施加一定电流并控制电流的大小，实现AFM导电探针上的原子沉积到基底上，形成导体沉积点，该沉积点可用于纳米点阵结构的加工及纳米器件中对纳米材料的焊接。本发明不但可以加工出重复性好、精度高的沉积点，而且可以灵活的控制沉积点的大小。并且本发明的方法还可以用来加工纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 施加 电流 实现 原子 显微镜 纳米 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种通过施加电流实现原子力显微镜纳米沉积的方法，其特征在于，扫描基底表面以确定加工位置；将AFM导电探针移动到加工位置，控制AFM导电探针的针尖和基底接触或离开基底几纳米距离，通过在AFM导电探针的针尖和基底之间施加电流并调节电流大小和电流作用时间来控制沉积点的大小。
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