[发明专利]接触孔的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210552382.X | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103050438A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王民涛;李杰;汪德文;魏国栋;刘玮;杨坤进 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种接触孔的刻蚀方法，包括下列步骤：在晶圆上淀积层间介质；对所述层间介质进行平坦化处理；进行接触孔光刻；进行接触孔湿法腐蚀，将所述层间介质腐蚀掉30%~70%厚度；进行接触孔干法刻蚀。本发明采用两步刻蚀工艺，第一步采用湿法腐蚀，利用腐蚀的各向同性特点，使层间介质在接触孔处的台阶呈类碗型形貌；第二步采用干法刻蚀，利用干法刻蚀的各向异性特点，使台阶形貌接近直角。这样通过湿法腐蚀和干法刻蚀结合，使接触孔处的台阶较平滑，没有大的尖角，避免了金属层易在接触孔边缘尖角处产生空洞，同时保证层间介质在多晶硅栅的台阶处有足够的厚度，保证了足够的BVDSS。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的刻蚀方法，包括下列步骤：在晶圆上淀积层间介质；对所述层间介质进行平坦化处理；进行接触孔光刻；进行接触孔湿法腐蚀，将所述层间介质腐蚀掉30%~70%厚度；进行接触孔干法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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