[发明专利]一种非真空的步进通过式快速硒化装置及利用其实现的硒化方法有效
申请号: | 201210546090.5 | 申请日: | 2012-12-15 |
公开(公告)号: | CN103021823A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 李和胜;李劼;闫升运;孙琳;王岩 | 申请(专利权)人: | 山东孚日光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L21/67;C23C8/06;C30B31/06 |
代理公司: | 潍坊正信专利事务所 37216 | 代理人: | 王伟霞 |
地址: | 261500 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种非真空的步进通过式快速硒化装置,包括工艺腔室,所述工艺腔室利用门闸分割为顺次排列的装载腔、加热腔、保温腔、冷却腔和卸载腔,所述加热腔和保温腔设置有加热单元、鼓风单元和抽气单元,所述加热单元包括均匀分布于所述加热腔和保温腔内部的电热丝以及上下两排卤素灯,所述鼓风单元和抽气单元均设置有用以将工艺气体格栅化的格栅板,本发明同时公开了利用非真空的步进通过式快速硒化装置实现的硒化方法。本发明实现了扩散气体流场均匀性的高效控制,实现了扩散工艺温度和温升的高效控制,在保证大面积硒化均匀性的前提下,通过快速硒化有助于生产效率的大幅提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 步进 通过 快速 化装 利用 实现 方法 | ||
【主权项】:
一种非真空的步进通过式快速硒化装置,包括工艺腔室,所述工艺腔室利用门闸分割为顺次排列的装载腔、加热腔、保温腔、冷却腔和卸载腔,所述装载腔、加热腔、保温腔、冷却腔和卸载腔内均设置有相互配合的、用以承载待硒化基板的传动辊;其特征在于:所述加热腔和保温腔设置有加热单元、鼓风单元和抽气单元,所述加热单元包括均匀分布于所述加热腔和保温腔内部的电热丝以及上下两排卤素灯;所述鼓风单元设置于所述加热腔和保温腔的一侧,包括将工艺气体格栅化的格栅板,所述格栅板设置于所述加热腔和保温腔的腔室内;所述抽气单元设置于所述加热腔和保温腔与所述鼓风单元相对的一侧,包括抽气机、导流板和格栅板,所述抽气机的进气口利用导流板引至腔室内,且导流板的上游位置设置有所述格栅板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造