[发明专利]一种VDMOS晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210545681.0 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103035732A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郑学仁 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 蔡茂略 |
| 地址： | 510640 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS晶体管及制备方法，属于半导体领域，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、位于外延层内的第二导电类型注入区和第一导电类型的高掺杂源区、栅极结构，所述栅极结构包括：位于外延层漂移区上方的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层上方的半绝缘多晶硅层，位于沟道区上方的氮氧化硅层，覆盖半绝缘多晶硅层和氮氧化硅层的多晶硅层；在制备方法中引入热氮化氮氧化硅层，代替传统二氧化硅层作为沟道上栅介质层，在外延层漂移区上方的氧化层之上，增加一层半绝缘多晶硅层，本发明能够明显降低栅-漏电容和达到克服因长期工作温升引起的栅绝缘层绝缘性能变差、栅极漏电流变大、VDMOS性能蜕化的可靠性问题的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS晶体管，其特征在于，包括第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底上方；栅极结构，位于所述第一导电类型外延层上方；第一导电类型的高掺杂源区，位于所述第一导电类型外延层内；第二导电类型注入区，位于所述第一导电类型外延层内并环绕所述第一导电类型的高掺杂源区；金属源电极，位于所述第一导电类型的高掺杂源区上方；金属漏电极，位于所述第一导电类型衬底下方；金属栅电极，位于栅极结构上方；所述栅极结构包括：位于第一导电类型外延层漂移区上方的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层为二氧化硅层，位于所述二氧化硅层上方的半绝缘多晶硅SIPOS层，位于沟道区上方的氮氧化硅层，覆盖所述半绝缘多晶硅SIPOS层和氮氧化硅层的多晶硅层，所述漂移区为相邻第二导电类型注入区之间的区域。
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