[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201210545349.4 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000581A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 胡海琛;郤玉生;林鸿涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;安利霞 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线的图形；在形成栅线图形的衬底基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和数据金属层薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的有源层、掺杂半导体层的图形，以及位于所述掺杂半导体层上的源电极、漏电极和数据线的图形；在形成源电极电极、漏电极和数据线的图形的衬底基板上形成钝化层；在形成钝化层的衬底基板上形成透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极的图形，像素电极通过贯穿钝化层的第一过孔与漏电极连接。本发明可以减少一次掩模板工艺，降低阵列基板的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S11，提供一衬底基板；S12，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线的图形；S13，在完成步骤S12的衬底基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和数据金属层薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的有源层、掺杂半导体层的图形，以及位于所述掺杂半导体层上的源电极、漏电极和数据线的图形；S14，在完成步骤S13的衬底基板上形成钝化层；S15，在完成步骤S14的衬底基板上形成透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过贯穿所述钝化层的第一过孔与所述漏电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
