[发明专利]导电性反射膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201210544974.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103258864A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 山崎和彦;马渡芙弓;日向野怜子 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01B1/22;H01L31/18;H01L31/052;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 齐葵;王诚华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种无需实施真空成膜法，通过湿式涂布法维持银纳米颗粒烧结膜的高反射率、高导电性的同时，提高与基材的粘附性的导电性反射膜及其制造方法。一种导电性反射膜，其特征在于，通过使用湿式涂布法在银纳米颗粒烧结膜上涂布含有金属醇盐的水解物的表面包覆用组合物之后，烧成具有涂膜的银纳米颗粒烧结膜来形成。另外，一种导电性反射膜的制造方法，其特征在于，通过湿式涂布法在银纳米颗粒烧结膜上涂布含有金属醇盐的水解物的表面包覆用组合物之后，对具有涂膜的银纳米颗粒烧结膜进行烧成。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 反射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电性反射膜，其特征在于，通过使用湿式涂布法在银纳米颗粒烧结膜上涂布含有金属醇盐的水解物的表面包覆用组合物之后，烧成具有涂膜的银纳米颗粒烧结膜来形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
