[发明专利]一种硅基异质结构光催化剂的制备方法无效
申请号: | 201210540627.7 | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103846066A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 赵星;郭红彦 | 申请(专利权)人: | 淮南师范学院 |
主分类号: | B01J13/02 | 分类号: | B01J13/02;B01J20/10;B01J27/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 232038 安徽省淮南*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明主要涉及一种利用可见光对水体中有机污染物进行降解的半导体光催化剂的制备方法。本研究采用沉积-沉淀法来制备以有序介孔SiO2为载体,采用简单的离子交换手段,构建AgI/AgBr异质结,制备AgI-AgBr/SiO2异质结构纳米复合材料,这种具有新颖结构的无机复合材料在催化、吸附分离、光电、生物等领域具有更加广泛的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅基异质 结构 光催化剂 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基异质结构光催化剂的制备方法,其特征在于具体步骤为: a、在去离子水中加入SiO2,超声分散均匀,然后将KI加入到SiO2悬浮液中,充分搅拌; b、将新制的银氨溶液迅速加入到上述体系中,在常温下使其充分反应; c、所得产品经过滤、水洗、干燥后在空气中自然冷却,得到黄色AgI/SiO2样品; d、上述样品放入去离子水中,超声分散均匀,然后在搅拌的同时将KBr溶液滴加入AgI/SiO2悬浮液中,充分反应; e、反应后的溶液经过滤、水洗、干燥、冷却后获得AgI‑AgBr/SiO2复合异质结构。
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