[发明专利]一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法有效
| 申请号： | 201210539425.0 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103866376A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李明飞;刘志伟;闫志瑞;陈海滨;付斌;黄龙辉 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，电阻率可达4000-5000Ω·cm，它包括以下工序：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩及放肩至等径，收尾工序，其中：所用的多晶料为高纯度REC多晶硅料，所用多晶料的直径大于拉制获得的单晶，多晶料与单晶直径比控制为3∶2。本发明的优点是本工艺方法简单，实用，可满足人们对高电阻率区熔单晶硅的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 拉制 直径 80 mm 电阻率 单晶硅 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，电阻率可达4000‑5000Ω·cm，它包括以下工序：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩及放肩至等径，收尾工序，其特征在于：所用的多晶料为高纯度REC多晶硅料，所用多晶料的直径大于拉制获得的单晶，多晶料与单晶直径比控制为3∶2。
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