[发明专利]一种磁控溅射装置及其应用无效
| 申请号： | 201210539031.5 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103866249A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 程谟杰;武卫明;涂宝峰;崔大安 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射装置及其应用，能够使管型或圆柱状基底在轴向上连续旋转，轴向转速与基底温度可调可控，且在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致，能够在管型及圆柱状基底上沉积制备出均匀的固体薄膜，扩展了磁控溅射方法的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 装置 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射装置，其特征在于：包括一个密闭的长方型腔体，于腔体内的底部设有用于放置溅射靶靶材的基片台，于腔体内、基片台的下方设有磁钢；于腔体内的顶部设有样品台；于样品台下方、腔体的左右侧壁上相对对称设有用于固定镀件的夹具，相对设置于左右侧壁上的夹具一端端面相对应，夹具的另一端为设有转动轴，转动轴穿过侧壁面与电动机传动连接。
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