[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。芯片包括：衬底、依次层叠在衬底上的n型层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层和透明导电层、以及设于透明导电层上的p型电极和设于n型层上的n型电极，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与量子垒层交替生长的量子阱层，电子阻挡层和与电子阻挡层接触的一个量子垒层的厚度总和不大于50nm，p型层内设有多个孔，孔从p型层的与透明导电层接触的表面延伸至p型层的与电子阻挡层接触的表面，孔的孔壁上以及电子阻挡层的位于孔内的表面上设有金属纳米颗粒层，孔内还设有覆盖在金属纳米颗粒层的表面上的第一绝缘介质层。本发明通过上述技术方案，增强了芯片内量子效率和发光效率。

主权项

一种发光二极管芯片，所述芯片包括：衬底、依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层和透明导电层、以及设于所述透明导电层上的p型电极和设于所述n型层上的n型电极，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与所述量子垒层交替生长的量子阱层，其特征在于，所述电子阻挡层和与所述电子阻挡层接触的一个所述量子垒层的厚度总和不大于50nm，所述p型层内设有多个孔，所述孔从所述p型层的与所述透明导电层接触的表面延伸至所述p型层的与所述电子阻挡层接触的表面，所述孔的孔壁上以及所述电子阻挡层的位于所述孔内的表面上设有金属纳米颗粒层，所述孔内还设有覆盖在所述金属纳米颗粒层的表面上的第一绝缘介质层。