[发明专利]N沟道射频LDMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种N沟道射频LDMOS器件，所述的N沟道射频LDMOS器件的漏区漂移区具有非均匀掺杂区，法拉第屏蔽结构分为上下两层，第一层法拉第屏蔽结构采用梳齿状或筛网状结构，不覆盖法拉第屏蔽结构的区域与所述非均匀掺杂区重合，第二层法拉第屏蔽层位于第一层法拉第层上方，两法拉第屏蔽层通过金属接触连线连接并通过电下沉通道连接到衬底。第一层法拉第屏蔽层使导通电阻、栅极与漏极间寄生电容及漏极与源极间寄生电容之间达到良好平衡，第二层法拉第屏蔽层进一步减少栅极与漏极间的寄生电容，器件的导通电阻、击穿电压和频率特性间可获得良好的平衡。本发明还公开了所述N沟道射频LDMOS器件的制造方法。

主权项

一种N沟道射频LDMOS器件，位于衬底上的外延层中，具有相互抵靠接触的体区及漏区漂移区，所述射频LDMOS器件的源区位于体区中，漏区位于漏区漂移区中，体区一侧具有连接源区及衬底的电下沉通道，器件表面具有栅氧化层及栅极，其特征在于：所述N沟道射频LDMOS器件的漏区漂移区中还具有非均匀掺杂区；栅极上方具有法拉第屏蔽结构，法拉第屏蔽结构分为上下两层，第一层法拉第屏蔽层位于多晶硅栅极上方，与多晶硅栅极之间间隔介质层；第二层法拉第屏蔽层位于第一层法拉第屏蔽层的上方，覆盖第一层法拉第屏蔽层，之间间隔介质；第一层法拉第屏蔽层与第二层法拉第屏蔽层通过金属连线连接，并连接到N沟道射频LDMOS器件的源极与衬底之间的电下沉通道上；所述的漏区漂移区中的非均匀掺杂区是靠漏区为矩形注入区，矩形注入区与栅极之间的区域呈横向或者纵向的多个条状注入，或者是方块矩阵的注入区域；所述的第一层法拉第屏蔽层是采用纵向，或者横向的梳齿状结构，或者是筛网状结构；未覆盖法拉第屏蔽层的区域需与漏区漂移区的非均匀掺杂区重合，即第一层梳齿状或者筛网状的法拉第屏蔽层，梳齿之间的空隙或筛网状空隙正好露出其下方呈多个条状分布或方块矩阵的非均匀掺杂区，梳齿结构与条状相互啮合，或者筛网状结构与下方的方块矩阵非均匀掺杂区互补吻合。