[发明专利]一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201210536779.X | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103022295A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的AlN薄膜，其采用如下制备方法获得：采用Si衬底，选择Si衬底的（111）晶面为晶体取向，先在Si(111)晶面上生长出Al缓冲层，再外延生长AlN薄膜。本发明使用Si为衬底，同时采用脉冲激光沉积生长法在Si（111）衬底上生长AlN薄膜，AlN晶体择优取向生长，获得衬底与AlN之间很低的晶格失配度，极大地提高了AlN晶体的质量，适合应用在光电探测器、LED器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 si 衬底 aln 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种生长在Si衬底上的AlN薄膜的制备方法，其特征在于：采用Si衬底，选择Si衬底的（111）晶面为晶体取向，先在Si(111)晶面上生长出Al缓冲层，再外延生长AlN薄膜。
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