[发明专利]一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺无效

专利信息
申请号: 201210534565.9 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN102974581A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 刘琦;齐钊;李诺;孙希凯;吕莹 申请(专利权)人: 天津中环领先材料技术有限公司
主分类号: B08B9/28 分类号: B08B9/28;H01L21/02
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 王凤英
地址: 300384 天津市西青区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及单晶硅晶圆抛光片的包装技术,特别涉及一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺。本工艺步骤是:将英特格公司的非免洗片盒用去离子水通过旋转式片盒清洗机清洗,以实现干燥且洁净度较高的片盒,先将清洗机的湿度调至25±5%;温度调至90±10℃;氮气流量200±50L/min;氮气温度120±20℃,清洗工艺分成十六个步骤,分别采取顺时针和逆时针旋转对片盒进行内向冲洗;外向冲洗;内吹热氮气;外吹热氮气程序,其每个步骤设定清洗时间、转速以及执行的程序。采用本工艺经过清洗后的片盒替代高洁净度的片盒,不仅省去了高洁净度辅料的成本,而且加强了硅片表面颗粒的控制。可以在半导体行业的高速发展和激烈的市场竞争占据有利地位。
搜索关键词: 一种 单晶硅 抛光 片片 清洗 工艺
【主权项】:
1.一种盛载单晶硅晶圆抛光片片盒的清洗工艺,其特征在于,将英特格公司的非免洗片盒用去离子水通过旋转式片盒清洗机清洗,以实现干燥且洁净度较高的片盒,先将清洗机的湿度调至25±5%;温度调至90±10℃;氮气流量200±50L/min;氮气温度120±20℃,清洗工艺分成十六个步骤,分别采取顺时针和逆时针旋转对片盒进行内向冲洗;外向冲洗;内吹热氮气;外吹热氮气程序,其每个步骤设定的清洗时间、转速以及执行的程序如下表:
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