[发明专利]一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法，在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻，在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻，从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器，在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力，提高了使用过程中传感器的测量信号的稳定性及测量的可靠性；是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器，在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。

主权项

一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：第一步：提供绝缘衬底上的硅SOI作为衬底，SOI由上层硅、中间层氧化硅和下层硅基底构成；第二步：淀积绝缘层，对SOI进行多次光刻，采用离子注入的方式，在SOI的上层硅的正面将要形成压敏电阻的位置注入杂质离子，进行一次离子注入；第三步：再次光刻，采用反应离子刻蚀RIE或深度反应离子刻蚀DRIE依次刻蚀绝缘层和上层硅等得到悬臂梁的结构，并做侧壁光滑处理；第四步：采用倾斜角度注入的方式，与SOI的上层硅的侧面倾斜一定的角度，注入杂质离子，进行二次离子注入，形成压敏电阻；第五步：淀积绝缘层，并通过光刻制备引线孔；第六步：在上层硅的表面溅射金属，经刻蚀，制备压敏电阻的金属引线；第七步：结构释放，腐蚀中间层氧化硅，得到悬空的悬臂梁。