[发明专利]一种芯片集成的氧化硅微球激光器有效
| 申请号： | 201210530750.0 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103001117A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 姜校顺;范会博;华士跃;肖敏 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01S3/16 | 分类号： | H01S3/16;H01S3/091 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片集成的氧化硅微球激光器，包括稀土掺杂氧化硅微球和微光纤，所述微光纤位于所述氧化硅微球的一侧，所述氧化硅微球通过以下方法制备得到：（1）通过溶胶凝胶法在硅片表面制备掺稀土杂质的氧化硅薄膜；（2）在所述氧化硅薄膜表面上用光刻、刻蚀工艺制备出氧化硅微盘；（3）利用二氧化碳激光器对所述氧化硅微盘进行加热回流得到氧化硅微球。本发明的利用溶胶凝胶稀土掺杂方法制备的氧化硅微球激光器具有微型化、阈值低、稳定、芯片集成等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 集成 氧化 硅微球 激光器 | ||
【主权项】：
一种芯片集成的氧化硅微球激光器，包括稀土掺杂的氧化硅微球和微光纤，所述微光纤位于所述氧化硅微球的一侧，其特征在于：所述氧化硅微球通过以下方法制备得到：（1）通过溶胶凝胶法在硅片表面制备掺稀土杂质的氧化硅薄膜；（2）在所述氧化硅薄膜表面上用光刻、HF刻蚀和XeF2刻蚀工艺制备出氧化硅微盘；（3）利用二氧化碳激光器对所述氧化硅微盘进行加热回流，将氧化硅微盘熔融成微球。
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