[发明专利]可用于PID与ILD测试的测试结构及晶圆有效
| 申请号： | 201210530102.5 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103872017B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 何莲群;于艳菊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可用于PID与ILD测试的测试结构及晶圆。其中，所述测试结构至少包括呈叉指状且用于收集电荷的天线部，其包含第一连接端与第二连接端；以及场效应管结构部，包括形成场效应管所需要的结构，且所形成的场效应管的栅极连接所述天线部的第一连接端。所述晶圆至少包括前述的测试结构；以及均设置在表层的多个电气连接点，每一个电气连接点连接一个测试结构所包含的第二连接端、以及每一个测试结构各自所形成的场效应管的栅极、漏极、源极及所述场效应管的衬底连接端中的一个。本发明的优点包括一种测试结构能完成PID及ILD两项测试，且所提供的晶圆的切割道区面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pid ild 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种可用于PID与ILD测试的测试结构，其特征在于，所述可用于PID与ILD测试的测试结构设置在晶圆中，其至少包括：呈叉指状且用于收集电荷的天线部，其包含第一连接端与第二连接端；场效应管结构部，包括形成场效应管所需要的结构，且所形成的场效应管的栅极连接所述天线部的第一连接端；其中，通过第二连接端与场效应管结构部的栅极进行ILD测试，通过场效应管结构部的栅极、漏极、源极、基底连接端进行PID测试。
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