[发明专利]SOI晶圆和其制造方法以及MEMS器件在审
| 申请号： | 201210529923.7 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103377983A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 吉川英治;市川淳一;吉田幸久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明获得对金属杂质具有优异的吸除能力的SOI晶圆、SOI晶圆的高效制造方法、以及利用了这种SOI晶圆的可靠性高的MEMS器件。SOI晶圆是将分别为硅晶圆的支承晶圆(1)及活性层晶圆(6)隔着氧化膜(3)彼此贴合而构成的SOI晶圆，包括：在至少一片硅晶圆的贴合面上形成的空腔(1b)；及在与贴合面相反一侧的面上形成的吸除材料(2)。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制造 方法 以及 mems 器件 | ||
【主权项】：
一种SOI晶圆，由2片硅晶圆隔着氧化膜彼此贴合而构成，其特征在于，包括：在至少一片硅晶圆的贴合面上形成的空腔；及在与所述贴合面相反一侧的面上形成的吸除材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
