[发明专利]一种溶液法电解质薄膜晶体管及其制备方法

摘要

一种溶液法电解质薄膜晶体管及其制备方法，该电解质薄膜晶体管为顶栅顶接触结构，包括绝缘衬底、半导体层、电解质绝缘层、源电极、漏电极和栅电极；其中，绝缘衬底位于电解质薄膜晶体管的最底层，半导体层位于绝缘衬底之上，电解质绝缘层覆盖于半导体层的部分上表面之上，源电极和漏电极分别制备在电解质绝缘层两侧的半导体层上并被电解质绝缘层隔开，栅电极制备在电解质绝缘层上；所述制备方法通过图案化光交联处理，并使用溶剂将部分电解质绝缘层处理掉，再进行单次真空蒸镀，利用表面高度差同时分别形成栅极、源极和漏极。本发明实现了低开态电压和大工作电流，并简化了加工工艺，降低了成本，适用于低成本的柔性电子技术。

主权项

一种溶液法电解质薄膜晶体管，其特征在于，所述电解质薄膜晶体管为顶栅顶接触结构，其包括：绝缘衬底、半导体层、电解质绝缘层、源电极、漏电极和栅电极；其中，绝缘衬底位于所述电解质薄膜晶体管的最底层，半导体层位于该绝缘衬底之上，电解质绝缘层覆盖于该半导体层的部分上表面之上，源电极和漏电极分别制备在电解质绝缘层两侧的半导体层上并被电解质绝缘层隔开，栅电极制备在该电解质绝缘层上。