[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210525310.6 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103296077A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 游承儒;姚福伟;许竣为;余俊磊;杨富智;熊志文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上并且在组分上不同于第一III-V族化合物层。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的上方。两个斜场板设置在位于第二III-V族化合物层上的保护层中的开口和介电覆盖层中的开口的组合开口的两个侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一III‑V族化合物层；第二III‑V族化合物层，设置在所述第一III‑V族化合物层上并且在组分上不同于所述第一III‑V族化合物层，其中，载流子沟道位于所述第一III‑V族化合物层和所述第二III‑V族化合物层之间；介电覆盖层，设置在所述第二III‑V族化合物层上；保护层，设置在所述介电覆盖层上；组合开口，形成在所述介电覆盖层和所述保护层中从而暴露出所述第二III‑V族化合物层；斜场板，形成在所述组合开口中；源极部件和漏极部件，都设置在所述第二III‑V族化合物层上；栅电极，设置在所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二III‑V族化合物层的上方并且填充所述组合开口。
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