[发明专利]一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置有效
| 申请号： | 201210521264.2 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103854995B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;王兆祥;杜若昕;黄智林 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;吕俊清 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置，实施于表面形成了底部抗反射层和硬掩膜层的衬底，包括以下步骤：以定义源功率的频率对底部抗反射层进行刻蚀，此时腔体压力小于50毫托；以偏置功率的频率对硬掩膜层进行刻蚀，此时腔体压力为300毫托至700毫托；所述定义源功率的频率范围为25MHz至120MHz，所述偏置功率的频率范围为1MHz至15MHz，使用本发明的改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置进行底部介质隔离层的刻蚀时，光刻胶侧面的粗糙条痕没有往下传，避免了对聚合物层的表面和侧壁形成破坏，相比现有工艺，采用本发明的刻蚀结果聚合物层的表面和侧壁没有变粗糙和出现条痕，通孔的条痕大大改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 侧壁 条痕 刻蚀 工艺 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺，实施于表面形成了底部抗反射层和硬掩膜层的衬底，其特征在于，包括以下步骤：以定义源功率的频率对底部抗反射层进行刻蚀，此时腔体压力小于50毫托；以偏置功率的频率对硬掩膜层进行刻蚀，此时腔体压力为300毫托至700毫托；所述定义源功率的频率范围为25MHz至120MHz，所述偏置功率的频率范围为1MHz至15MHz。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
