[发明专利]含沟槽结构肖特基嵌位二极管及终端结构无效
| 申请号： | 201210520057.5 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103855226A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘远良;衷世雄 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种含沟槽结构肖特基嵌位二极管，包括：一N型外延层，作为含沟槽结构肖特基嵌位二极管的负极；在N型外延层中形成的多个沟槽，在所述沟槽内形成的一层氧化层，位于所述氧化层之上，填充满所述沟槽的多晶硅；所述多个沟槽及其内部的氧化层和多晶硅，构成沟槽区域；在所述沟槽底部形成的且包裹沟槽底部的P型掺杂区；各P型掺杂区相互之间不相连；在所述N型外延层和沟槽区域的上端形成的金属层，通过该金属层将N型外延层与所述沟槽区域相连接，作为含沟槽结构肖特基嵌位二极管正极。本发明还公开了一种与所述含沟槽结构肖特基嵌位二极管相匹配的终端结构。本发明能够强化沟槽底部的耐压能力，使产品具有更好的反向耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 结构 肖特基嵌位 二极管 终端 | ||
【主权项】：
一种含沟槽结构肖特基嵌位二极管，包括：一N型外延层，作为含沟槽结构肖特基嵌位二极管的负极；其特征在于，还包括：在所述N型外延层中形成的多个沟槽，在所述沟槽内形成的一层氧化层，位于所述氧化层之上，填充满所述沟槽的多晶硅；所述多个沟槽及其内部的氧化层和多晶硅，构成沟槽区域；在所述沟槽底部形成的且包裹沟槽底部的P型掺杂区；各P型掺杂区相互之间不相连；在所述N型外延层和沟槽区域的上端形成的金属层，通过该金属层将N型外延层与所述沟槽区域相连接，作为含沟槽结构肖特基嵌位二极管正极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210520057.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太赫兹脉冲强度的装置
- 下一篇：一种支持热插拔的电连接器接触件
- 同类专利
- 专利分类
