[发明专利]一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管及其形成方法

摘要

一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管（即TI-IGBT）包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底内形成有并列设置的短路区和集电区，短路区与集电区的掺杂类型不同；第二半导体衬底，第二半导体衬底位于第一半导体衬底的上表面，且第二半导体衬底与短路区的掺杂类型相同；第一掺杂层，第一掺杂层位于第一半导体衬底与第二半导体衬底之间，且至少覆盖集电区；其中，第一掺杂层的掺杂类型与第二半导体衬底的掺杂类型相同，且掺杂浓度小于第二半导体衬底的掺杂浓度，从而增加了集电区上方的电阻，使得本发明所提供的TI-IGBT，以更小的电流进入IGBT模式，解决现有技术中TI-IGBT工作时的电流回跳现象。

主权项

一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管，其特征在于，包括： 第一半导体衬底，所述第一半导体衬底内形成有并列设置的短路区和集电区，所述短路区与集电区的掺杂类型不同； 第二半导体衬底，所述第二半导体衬底位于所述第一半导体衬底的上表面，且所述第二半导体衬底与所述短路区的掺杂类型相同； 第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底之间，且至少覆盖所述第一半导体衬底内的集电区； 其中，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述第二半导体衬底的掺杂类型相同，且掺杂浓度小于所述第二半导体衬底的掺杂浓度。