[发明专利]一种低相位噪声电感电容压控振荡器

摘要

本发明公开了一种低相位噪声电感电容压控振荡器，该振荡器包括谐振腔和Q值增大级；所述的谐振腔包括由电感（L）、第三电容（C3）、第一电容（Cv1）、第二电容（Cv2），第四电容（C4）顺序连接组成的一个闭环，第一电阻（R1）、第二电阻（R2）串联连接后，其一端接在第三电容（C3）、第一电容（Cv1）之间，另一端接在第二电容（Cv2）、第四电容（C4）之间；所述Q值增大级包括由第零NMOS管（NM0）、第一NMOS管（NM1）、第二NMOS管（NM2）、第三NMOS管（NM3）组成的放大器，本发明压控振荡器具有相位噪声低、结构简单、芯片面积小等特点。

主权项

一种低相位噪声电感电容压控振荡器，其特征在于该振荡器包括谐振腔和Q值增大级；所述的谐振腔包括由电感（L）、第三电容（C3）、第一电容（Cv1）、第二电容（Cv2），第四电容（C4）顺序连接组成的一个闭环，第一电阻（R1）、第二电阻（R2）串联连接后，其一端接在第三电容（C3）、第一电容（Cv1）之间，另一端接在第二电容（Cv2）、第四电容（C4）之间；其中，第一电阻（R1）、第二电阻（R2）之间为偏置电压（Vbias），第一电容（Cv1）、第二电容（Cv2）之间为频率调谐电压（Vtune），电感（L）、第三电容电容（C3）之间为正输出端（Vout+）, 电感（L）、第四电容电容（C4）之间为负输出端（Vout‑）；所述Q值增大级包括由第零NMOS管（NM0）、第一NMOS管（NM1）、第二NMOS管（NM2）、第三NMOS管（NM3）组成的放大器，其中，    第一NMOS管（NM1）的源级接地，漏极接第二NMOS管（NM2）的源级，栅极接第二NMOS管（NM2）的衬底；第三NMOS管（NM3）的源级接地，漏极接第零NMOS管（NM0）的源级，栅极接第零NMOS管（NM0）的衬底；第二NMOS管（NM2）与第零NMOS管（NM0）栅极相连再与谐振腔的正输出端（Vout+）相连；第零NMOS管（NM0）的漏极与第二NMOS管（NM2）栅极相连再与谐振腔负输出端（Vout‑）相连；第五电容（C5）的一端接地，另一端接第零NMOS管（NM0）和第二NMOS管（NM2）的源级。