[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210514862.7 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103151308A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 大野克巳;根岸将人;铃木正人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到一种能够减少解理从期望的解理线的偏离的半导体装置的制造方法。在半导体衬底（1）的表面，在期望的解理线（5）上形成起点裂纹（6），沿着期望的解理线（5）断续地形成多个预备裂纹（7a、7b）。沿着期望的解理线（5）从起点裂纹（6）起通过多个预备裂纹（7a、7b）对半导体衬底（1）进行解理。各个预备裂纹（7a、7b）具有随着在解理的进行方向上行进而从期望的解理线（5）的外侧向期望的解理线（5）汇合的裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在半导体衬底的表面，在期望的解理线上形成起点裂纹，沿着所述期望的解理线断续地形成多个预备裂纹的工序；以及沿着所述期望的解理线从所述起点裂纹起通过所述多个预备裂纹对所述半导体衬底进行解理的工序，各个预备裂纹具有随着在解理的进行方向上行进而从所述期望的解理线的外侧向所述期望的解理线汇合的裂纹。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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