[发明专利]集成MOSFET的IGBT器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种集成MOSFET的IGBT器件，将IGBT器件以及IGBT的栅驱动MOSFET集成在一起，使IGBT自身集成栅驱动能力；IGBT与栅驱动MOSFET两者之间进行有效隔离，不产生漏电通路。本发明还公开了所述器件的制造方法，将MOSFET工艺和IGBT工艺有机结合起来，通过一套版和一套工艺就能实现智能绝缘栅双极晶体管的制造。

主权项

一种集成MOSFET的IGBT器件，其特征在于：包含：在N型硅衬底上的N型外延中，具有隔离的MOSFET及IGBT区；所述MOSFET，位于外延层中的隔离结构中，所述隔离结构具有一位于衬底中的P型埋层，埋层两侧上方各具有氧化硅形成的隔离沟槽连接到所述P型埋层；所述隔离沟槽与P型埋层即形成隔离结构；隔离结构中靠隔离沟槽均具有P阱，P阱之间具有N阱，所述P阱中具有所述MOSFET的N型源区及P型引出区，所述N阱中具有所述MOSFET的N型漏区；P阱与N阱之间的外延表面具有MOSFET的栅氧化层及多晶硅栅极；所述IGBT区，在外延中具有P阱，P阱中具有所述IGBT的N型发射区及P型引出区；P阱上的外延表面具有所述IGBT的栅极；整个硅衬底的背面具有P型注入层，淀积金属层将衬底P注入层引出，形成IGBT器件的集电极。