[发明专利]一种D形光纤胶体晶体微纳结构的制备方法

摘要

一种D形光纤胶体晶体微纳结构的制备方法，涉及光电子技术领域，先是在D形光纤的平面上制备微纳结构，然后再利用胶体微粒在微纳结构内制备胶体晶体，具体过程包括涂胶、曝光、刻蚀、去胶以及在静电场作用和提拉作用结合下将胶体微粒组装到微纳结构中。本发明最终在D形光纤平面上制备了胶体晶体微纳结构，使D形光纤的消逝场同时接受微纳结构和胶体晶体光子带隙的调制，实现了对D形光纤内光场更强和可操控的调制，从而可以使D形光纤广泛应用在光信息处理，光学传感及光学集成等领域。

主权项

一种D形光纤胶体晶体微纳结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）、用硅胶将D形光纤的圆形面固定在底板上，在D形光纤平面上涂上光刻胶，然后烘干；（2）、将涂有光刻胶的D形光纤和所需掩膜板装在光刻机上，对D形光纤平面进行曝光，然后将D形光纤在30‑60℃下加热3‑5分钟，之后用丙酮显影除去曝光部分的光刻胶；（3）、搅拌条件下，用HF酸缓冲溶液刻蚀D形光纤平面，实现D形光纤平面上微纳结构的制备，刻蚀温度30‑50℃，时间3‑10分钟；（4）、用KOH溶液洗去D形光纤平面剩余的光刻胶，然后用去离子水超声清洗D形光纤并晾干；（5）、配制胶体微粒悬浊液，体积浓度为2‑5%，然后超声震荡使胶体微粒分布均匀；（6）、将步骤（4）制得的带有微纳结构的D形光纤的一端固定在步进电机上，D形光纤其余部分插入在胶体微粒悬浊液中，整个装置置于电场强度为600‑1300V/m的静电场中，保持胶体微粒悬浊液的温度为40‑60℃，然后步进电机以0.5‑2mm/min的速度提拉D形光纤，直至D形光纤脱离悬浊液，即可在D形光纤平面的微纳结构中制得胶体晶体。